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80A Intelli-PhaseTM DrMOS 解决方案,采用 Quiet SwitcherTM 技术、5V PVCC以及TLGA-41 (5mmx6mm) 封装
集成 HS-FET、LS-FET 和驱动器的Intelli-Phase™ 解决方案
80A, Radiation-Tolerant Intelli-PhaseTM DrMOS Solution in a TLGA-41 (5mmx6mm) Package
90A、Intelli-PhaseTM DrMOS 解决方案,采用 Quiet SwitcherTM 技术、5V PVCC 和 TGLA-41 (5mmx6mm) 封装
16V、50A、Intelli-PhaseTM 解决方案,采用 LGA-41 (5mmx6mm) 封装
集成 HS-FET、LS-FET 和驱动器的 60A Intelli-PhaseTM 解决方案,采用 TLGA-35 (3mmx6mm) 封装
具有内部功率 MOSFET 和栅极驱动器的 16V、70A、耐辐射单片半桥 Intelli-Phase TM 解决方案
60A Intelli-Phase ™解决方案,集成HS-FET、LS-FET 和驱动器并采用 TLGA-35 (3mmx6mm) 封装
Intelli-Phase™ 解决方案,集成内部功率 MOSFET 和栅极驱动器的单片半桥
Intelli-Phase™ 解决方案,集成 HS-FET、LS-FET 和驱动器并采用TLGA-41 (5mmx6mm) 封装
Intelli-Phase™ 解决方案,集成 HS-FET、LS-FET 和驱动器并采用LGA (4mmx5mm)封装
内置上下管MOSFET和驱动器的Intelli-PhaseTM 解决方案
集成 HS-FET/LS-FET 和驱动器的Intelli-PhaseTM 解决方案,采用 LGA 和 TLGA (5mmx6mm) 封装
集成了上下管和驱动的Intelli-PhaseTM 解决方案,采用5mmx6mm LGA 封装
16V 智能相位解决方案,采用 TQFN 3x3 封装
集成上管/下管和驱动器的 Intelli-PhaseTM解决方案
集成高端和低端 FET 和驱动器的Intelli-PhaseTM 电源解决方案
16V 输入 Intelli-Phase 解决方案,封装尺寸仅为 TQFN 3x4mm
55A、14V 智能相位解决方案(集成 HS/LS FET 和驱动器),带 3.3V PWM 逻辑,采用 6x6(mm) FC-TQFN 封装
集成上下管 FET 和栅极驱动的 55A, 14V Intelli-Phase 解决方案,采用 6x6(mm) FC-TQFN 封装
55A,14V智能相位解决方案,具有集成HS/LS FET、驱动器以及3.3V PWM逻辑,并采用6mmx6mm TQFN封装
55A,14V智能相位解决方案,具有集成HS/LS FET、驱动器以及5V PWM逻辑,并采用6mmx6mm TQFN封装
40A,14V Intelli-phase解决方案,集成上下管FET和驱动器并采用4mmx6mm FC-TQFN封装
20A,27V智能相位解决方案,集成HS / LS FET和驱动器并具有3.3V三态逻辑,采用5mmx5mm TQFN封装
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