EVQ5850-J-00A
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EVQ5850-J-00A 是用于展示 MPQ5850 功能的评估板。MPQ5850 是一款 36V 智能防反二极管控制器。
MPQ5850 可以替代肖特基二极管驱动外部 N 沟道 MOSFET,并实现反向输入保护。该器件具有 20mV 超低压差,可最大限度地降低功耗并实现较低的最小输入电压 (VIN),因此非常适合汽车应用中的冷启动条件。其 4μA 的超低关断电流 (ISHDN) 还使该器件成为电池供电应用的理想选择。超快瞬态响应满足严格的 ISO16750 标准。
MPQ5850 内部集成了升压变换器,即使在低输入电压 (VIN) 条件下也能提供导通外部 N 沟道 MOSFET 的升压电压,而且该器件还提供开漏电源正常 (PG) 信号以指示外部 N 沟道 MOSFET 是否完全导通。
EVQ5850-J-00A 为整装测试评估板。MPQ5850 采用 TSOT23-8 (2mmx3mm) 封装。
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产品特性和优势
- 专为应对严苛的汽车瞬变条件而设计:
- -36V 阻断电压
- 支持高达 42V 的负载突降
- 支持低至 3V 的冷车启动条件
- 对高达 100kHz 的交流频率进行整流
- 强大的栅极驱动能力:170mA 上拉电流和 430mA 下拉电流
- 可延长汽车电池寿命:
- 待机模式下 4μA 的低静态电流 (IQ)
- 稳态下 30μA 的低静态电流 (IQ)
- 可减小电路板尺寸:
- 附加功能:
- 20mV 超低压降
- 集成升压变换器
- 用于 RES 失调、快速上拉和部件禁用的电源正常 (PG) 指示
- 符合 AEC-Q100 等级 1 认证
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