MP8699B
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MP8699B是一款MOSFET驱动器,专用于驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) MOSFET或具有低栅极电压的 N 沟道 MOSFET。 该器件具有独立的高端 (HS) 和低端 (LS) 脉宽调制 (PWM) 输入。
MP8699B采用自举 (BST) 技术提供 HS-FET 驱动器电压,并可在高达 100V 的电压下工作。BST充电技术将HS-FET 驱动器电压保持在 VCC 电压以下,从而防止栅极电压(VGATE)超过增强型 GaN MOSFET 的最大栅源电压(VGS) 额定值。
MP8699B 具备两个独立的栅极,通过增加栅极环路的阻抗,实现独立的 MOSFET 导通和关断速度控制。
MP8699B 采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封装。
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产品特性和优势
- 独立的高端 (HS) 与低端 (LS) 逻辑输入
- 高端MOSFET(HS-FET)浮动偏置电压轨工作电压高达 100 VDC
- 可调节导通与关断速度控制的独立栅极输出
- 4.5V 至 5.5V VCC 范围
- 0.2Ω 下拉电阻、1.3Ω 上拉电阻
- 快速传播时间(通常为 17ns)
- 出色的传播延迟匹配(通常为 1.5ns)
- 采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封装

正在供货产品型号
MP8699BGC-Z MP8699BGC-P
以 P 和 Z 结尾的零件编号是相同的零件。P 和 Z 仅表示卷筒尺寸
P&Z的含义
MP8699B Resources
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APPLICATION
光网络终端(ONT)设备应用光网络终端(ONT)单元是通过将信号从光信号转换为电信号(反之亦然),从而将光缆连接到其他线路(例如以太网和电话线)的设备。尽管这些设备从电源中获取电力,但在断电的情况下,也通常有备用电池可用。ONT通常是大型GPON(千兆字节无源光网络)系统的一部分,用于实现有线消费类电子技术的高速数据连接。随着数据流量的持续增长,不断增长的需求也必须符合新的标准,ONT设计的任务是以更低的成本、更快的速度实现更大的吞吐量和带宽。 MPS全面的电源解决方案组合包括了电源模块、降压变换器、终端稳压器、线性稳压器、MOSFET驱动器、模拟开关、负载开关、WLED驱动器和监控电路。这些创新高效的组件为可靠、安全地为ONT单元供电提供了所需的一切。所有这些设备都经过优化,采用小尺寸封装,可实现低待机功耗和高功率密度,从而可以节省电路板空间并满足客户对更高能效的需求。 MPS创新且高性价比的解决方案可以为...
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PRODUCT CATEGORY
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正确选择 MOSFET以优化电源效率技术文章优化电源设计以提高效率十分重要。提高效率不仅可以节省能源,减少热量产生,还可以缩小电源尺寸。 本文将讨论如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的数量比,以提高电源设计的效率。 图 1 显示了一个具有 HS-FET 和 LS-FET 的简化电路。 选择 MOSFET 时,如何恰当分配 HS-FET 和 LS-FET 的内阻以获得最佳效率,这对电源工程师来说是一项挑战。 MOSFET 的选择关乎效率,设计人员需要在其传导损耗和开关损耗之间进行权衡。传导损耗发生在在 MOSFET 关闭期间,由于电流流过导通电阻而造成;开关损耗则发生在MOSFET 开关期间,因为 MOSFET 没有即时开关而产生。这些都是由 MOSFET 内半导体结构的电容行为引起的。 MOSFET 是一种集成型多组件结构,由多个MOSFET 半导体结构并联...
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