MP5520

具有双通道电熔丝和均电功能的 2.7V 至 16V 断电保护管理 IC

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采用MPS电感可优化性能

MP5520 是一款专为企业和数据中心固态硬盘 (SSD) 电源管理而设计的高效率单片变换器。该器件集成了双路输入限流开关（电熔丝）、双向升降压变换器和双向均电转换器。

具有低导通电阻 (R_DS(ON))的电熔丝可分别支持16V 和 6V 的输入电压 (V_IN)。两路电熔丝均提供输入限流以及反向电流阻断功能，另外还提供软启动 (SS) 功能以防止系统启动期间产生的浪涌电流。

双向升降压变换器用于提供能量管理功能。备用能量存储在高压电容中，MPS利用其特有的能量存储与释放管理控制电路最大限度地减少了对存储电容 (C_STRG) 的需求。该变换器可将 V_IN 提升至更高的存储电压 (V_STRG)；如果V_IN 断电，变换器将在一定保持时间内向系统释放能量。其可配置充电电流将以受控方式提升 V_STRG，再结合电熔丝的反向电流阻断功能，备用能量可在 V_IN 断电期间被充分利用以支持负载。

该双向变换器通过 C_STRG释放能量时采用恒定导通时间 (COT) 控制，最大限度地减少从充电模式转换到备用模式时产生的压降。该变换器仅需一个电感，使得总体解决方案尺寸能够最小化。

双向均电转换器用于在电熔丝之间提供功率共享功能。它可以配置为升压均电模式或降压均电模式。其内部 ADC 将精确监控 V_INx、输入电流 (I_INx) 和输入功率 (P_INx)。为保证更长久的可靠性，MP5520 还提供 C_STRG 健康状况监控。

MP5520 最大限度地减少了所需的现有标准外部元器件，并采用 QFN-37 (5mmx6mm) 封装。

产品特性和优势

输入限流开关（电熔丝）：
- 宽输入电压 (V_INx)范围：2.7V 至 16V V_IN1 （熔丝1）和 2.7V 至 6V V_IN2（熔丝 2）
- 低导通电阻 (R_DS(ON))：20mΩ （熔丝1）和 22mΩ （熔丝2）
- 可选反向电流阻断功能
- 可配置输入欠压保护
- 电源禁用功能
36V 充电和备份变换器 (PLP)：
- 支持高达 36V 的存储电压 (V_STRG)
- 充电操作
  - 通过外部引脚设置 V_STRG和电源故障阈值
  - 可配置充电电流
- 备份操作：
  - 高达 10A 的峰值电流能力
  - 高达 7A 的谷值电流能力
  - 可配置开关频率 (f_SW)
双向均电转换器：
- 可选升压均电模式或降压均电模式
- 可选独立模式或均电模式
- 在独立降压模式下通过外部 FB 电阻或 I²C控制可配置稳压电压
系统功能：
- 编程次数多达 1000 次的多次可编程 (MTP) 存储器
- 提供数字 I²C用于状态监控和操作控制
- 存储电容健康状况监测（C_STRG）
- 内部 8 位模数转换器 (ADC)，以 60kSPS 采样率监控输入电流 (I_INx)、V_INx和输入功率 (P_INx)
- 系统电源故障和中断指示
- 采用 QFN-37 (5mmx6mm) 封装

正在供货产品型号

MP5520GQJ-xxxx-Z MP5520GQJ-0000-Z MP5520GQJ-xxxx-P MP5520GQJ-0000-P

P&Z的含义

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双向升降压变换器用于提供能源管理功能。备用能源可存储在高压电容中，其可配置的充电电流可控制存储电压 (V_STRG) 的上升斜率。与电熔丝的反向电流阻断功能配合使用，备用能源能够得到充分的利用，在断电期间为负载提供支持。当双向变换器从存储电容中释放能量时，恒定导通时间 (COT) 控制可最大限度地减少从充电模式转换到备用模式期间的压降。该变换器只需一个电感，因此可最大限度地缩小整体解决方案尺寸。

双向均电变换器用于在电熔丝之间提供均电功能。它可以配置为两种模式：升压均电模式或降压均电模式。在降压均电模式下，MP5520 可工作于独立模式或均电模式。其内部模数转换器 (ADC) 可精确监控输入电压 (V_INx)、输入电流 (I_INx) 和输入功率 (P_INx)。为了保证系统的长期可靠性，MP5520还提供储能电容健康监测功能。

MP5520 最大限度减少了所需的现有标准外部元器件，并采用 QFN-37（5mmx6mm）封装。

¥181.00
+ 税