HFG610-65
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HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的准谐振 (QR) 反激式稳压器,专用于高性能和高频设计。与传统QR 反激式稳压器不同,HFG610-65 中的频率折返功能可确保全负载范围内的高效率。
HFG610-65 是一款基于副边调节 (SSR) 的原边调节器,它必须与副边反馈电路(例如 TL431 和光耦合器)配合使用。其高频率缩小了无源元件的尺寸并实现了更高的功率密度。HFG610-65 还集成了高压启动和 X 电容放电电路,并在突发模式下具有超低静态电流 (IQ),因此空载功耗低于 30mW。
该器件采用专有谷值锁定技术,可抑制运行过程中的谷值跳跃,因此可避免噪声的产生。它还具有宽VCC电压(VCC)范围,因此适用于具有宽输出电压(VOUT)范围的应用,而且无需添加辅助绕组。
HFG610-65 具有先进的保护功能,包括原边采样输出过压保护 (ZCD OVP)、原边采样输出欠压保护 (ZCD UVP)、VCC 过压保护 (VCC OVP)、输出过载保护 (OLP) 、内部欠压保护和开启 (B/O和B/I)、短路保护 (SCP)、电流采样开路/短路保护 (CSOP/SSP)、内部过温关断 (OTP)保护和欠压锁定(UVLO)保护。
HFG610-65 采用 QFN-25 (7mmx7mm) 封装。
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产品特性和优势
- 集成 700V/165mΩ GaN HEMT
- 创新专有准谐振 (QR) 控制,可消除可闻噪声
- 频率折返功能和突发模式可实现低轻载功耗
- 超宽 VCC 电压 (VCC) 范围,适用于 USB 供电 (PD) 应用
- 内置 X 电容放电器
- 内置高压启动电路
- 采用 PD 协议 IC ,具有超低待机功耗 (<30mW)
- 峰值电流模式控制和前沿消隐
- 欠压锁定 (UVLO)保护
- VCC 过压保护 (OVP)
- 零电流检测 (ZCD) 过压保护 (OVP) 和欠压保护 (UVP)
- 过载保护(OLP)
- 内部欠压保护与启动 (B/O和B/I)
- 短路保护 (SCP)
- 电流采样开路/短路保护 (CSOP/SSP)
- 过温保护 (OTP)
- 采用 QFN-25 (7mmx7mm) 封装

正在供货产品型号
HFG610GQN-65-Z HFG610GQN-65-P
以 P 和 Z 结尾的零件编号是相同的零件。P 和 Z 仅表示卷筒尺寸
P&Z的含义
HFG610-65 Resources
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PRODUCT CATEGORY
副边控制产品类目 -
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