NB675L
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS
10A,24V,全集成恒定导通时间控制模式高效同步降压变换器,具有快速瞬态响应、+/-1A LDO 、缓冲参考输出和低静态电流
NB675L continues to be in production for existing customers. Please consider this alternative for new designs:

NB685A
NB685A
4.5-26V宽输入电压、12A、低静态电流、大电流同步降压变换器,搭载 +/-1A LDO 和缓冲基准电压源
Features & Benefits
- 4.5 V 至 26 V 宽工作输入电压范围
- 兼容 IMVP8
- 135μA 低静态电流
- 12 A 连续输出电流
- 13 A 峰值输出电流
- 可选超音频模式
- 500K/700k 可选开关频率
- 内置 +/- 1 A VTTLDO
- 1% 缓冲 VTTREF 输出
- 用于快速瞬态响应的自适应 COT
- DC 自动调节环路
- 采用 POSCAP 和陶瓷输出电容可稳定工作
- 过温警报功能(OTW)
- 内部软启动
- 输出放电功能
- OCL、OVP、UVP 和过温关断保护
- 通过 EN 或电源重启锁定复位
- 采用 QFN 3mm x 3mm 封装。
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详情
NB675L 是 NB675 的 低静态电流版本。NB675L可为DDR3、DDR3L和LPDDR2 存储器提供最高功率密度的完整电源解决方案。它集成了一个高频同步整流降压开关变换器(VDDQ),具有 1.0A 的灌/拉电流 LDO(VTT)以及缓冲低噪声参考输出(VTTREF)。
NB675L 可在宽输入范围内实现10A连续输出电流和 12A 峰值输出电流,具有出色的负载和线性调整率。这款降压变换器采用恒定导通时间控制模式(COT),可提供快速瞬态响应,并使环路更易稳定。
VTT LDO提供了1.0A的灌/拉电流能力,输出电容仅需10μF陶瓷电容即可。VTTREF 可追踪 VDDQ/2 值,精度高达1%。其欠压锁定阈值内部默认设置为4.6V。通过一个开漏电源指示(PG)信号来指示VDDQ是否在正常电压范围内。全方位保护功能包括过流保护(OCP)、过压保护(OVP)和过温关断保护。该变换器最大限度地减少了外部元器件的使用,采用 QFN21 (3mmx4mm)封装。
产品特性和优势
- 宽工作输入电压范围:4.7V 至 24V
- 连续输出电流:10A
- 峰值输出电流:12A
- 内置 +/- 1.0A VTTLDO
- 静态电流:105μA
- 内部低导通电阻功率 MOSFETs
- 专有开关损耗降低技术
- 内部软启动
- 输出放电功能
- 开关频率:500kHZ
- 过流保护(OCP)、过压保护(OVP)和欠压保护(UVP)和过温关断保护
- VDDQ可调范围:0.6V 至 5.5V
正在供货产品型号
NB675LGL-P NB675LGL-Z
P&Z的含义
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