图形处理单元 (GPU) 不断迭代更新，其中的晶体管数目也不断增加以提高处理器性能。如今这个数目已达到数百亿的级别，与此同时，功率需求也相应呈指数级增长，这让满足瞬态响应规范变得极为困难。 本文将演示如何利用 SIMPLIS Technologies 的 SIMPLIS 模拟器来预测并优化下一代 GPU的电源行为。因具有更高斜率要求和超过 1000A 的电流水平，下一代 GPU需要更快的瞬态响应。 在多相降压变换器的恒定导通时间 (COT) 架构中，高速比较器代替了补偿网络中的误差放大器 (EA)。在这种架构中，输出电压(VOUT)通过反馈电阻进行采样，再与参考电压(VREF)进行比较。如果 VOUT 降至 VREF 以下，则上管 MOSFET (HS-FET) 导通。由于MOSFET 的导通时间是固定的，因此变换器可以在稳态下实现恒定频率。如果存在负载阶跃瞬变，变换器还可以大幅提...

降压电路中的电感设计非常关键，它与系统效率、输出电压纹波（∆VOUT）和环路稳定性密切相关。本文将以 MPQ2314为例说明如何计算降压变换器的电感，以及其他关键参数，如电感温升电流、饱和电流直流电阻、工作频率和磁损耗等。 在降压拓扑中，上管（Q1）的工作状态分为两个过程：电感充电模式和电感放电模式（见图1）。在电感充电模式下，Q1导通，电感电流(IL)升高，电感储存能量，同时输出电容充电；在电感放电模式下，Q1关断，IL降低且电感释放能量。 根据电感两端电压与电流之间的关系可以计算电感（L），如公式（1）： $$V = L \times dl / dt$$ 其中，电感两端的电压为 VIN - VOUT，dI 为峰峰值 IL (∆IL)（通常为最大输出电流IOUT)的 10% 至 60%），dt 为 Q1 的导通时间，可通过公式（2）计算得出： $$dt = D ...