MPQ1923-AEC1

MPQ1923-AEC1

100V、8A、高频、半桥栅极驱动器，符合 AEC-Q100 认证

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MPQ1923 是一款高频、N 沟道 MOSFET、半桥栅极驱动器。该器件的下管 MOSFET (LS-FET) 和上管 MOSFET (HS-FET) 驱动器通道可独立控制，且匹配时延小于 5ns。

在供电不足的情况下，MPQ1923 的 HS-FET 和 LS-FET 欠压锁定 (UVLO) 保护功能将强制拉低输出。该器件还集成了自举 (BST) 二极管，这减少了外部元器件的使用数量。

MPQ1923 采用 QFN-10 (4mmx4mm) 或 QFN-8 (4mmx4mm) 封装。

产品特性和优势

可驱动 N 沟道 MOSFET 半桥
具有 4.5V 欠压锁定 (UVLO) 下降阈值的低压差
120V 自举电压 (V_BST) 范围
片上自举二极管
20ns 典型传播延迟
12V V_DD条件下具备 8A 灌电流、7A 拉电流
栅极驱动器匹配时延 < 5ns
12V V_DD条件下能够以 7.2ns 上升时间 (t_RISE) 和 5.5ns 下降时间 (t_FALL) 驱动 1nF 负载
TTL 兼容输入
静态电流 (I_Q) < 300μA
HS-FET 和 LS-FET 栅极驱动器 UVLO 保护
采用 QFN-10 (4mmx4mm) 或 QFN-8 (4mmx4mm) 封装
符合 AEC-Q100 等级 1 认证

正在供货产品型号

MPQ1923GRE-AEC1-Z MPQ1923GRE-AEC1-P MPQ1923GR-AEC1-Z MPQ1923GR-AEC1-P

P&Z的含义

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MPQ1923具有集成自举 (BST) 二极管，这减少了外部元器件的使用数量。该器件的上管 MOSFET (HS-FET) 和下管 MOSFET (LS-FET) 驱动器可独立控制，且匹配时延小于5ns。如果 IC 电力不足，HS-FET 和 LS-FET 的欠压锁定 (UVLO) 保护功能将强制拉低输出。

MPQ1923 专为电机驱动器和其他电源控制应用而设计，例如电信半桥电源、航空电子设备 DC/DC 变换器、双开关正激变换器和有源钳位正激变换器。

MPQ1923 采用小尺寸 QFN-10 (4mmx4mm) 和 QFN-8 (4mmx4mm) 封装。

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