MP1918
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MP1918GQE-Z MP1918GQE-P
P&Z的含义
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EVQ1918-QE-01A 100V 半桥 GaN/MOSFET 驱动器评估板,符合 AEC-Q100 认证
EVQ1918-QE-01A 是用于演示 MPQ1918-AEC1 功能的评估板。MPQ1918-AEC1 是一款半桥驱动器,可在半桥或同步应用中驱动增强型氮化镓 (GaN) FET 或低栅极阈值电压 N 沟道 MOSFET。
EVQ1918-QE-01A 可配置为降压变换器,由 MPQ1918-AEC1 驱动 GaN FET。它支持开环控制,并可通过调节脉宽调制(PWM)信号的占空比来设置输出电压(VOUT)。
该板只需一个 PWM 信号;由板载电路生成具有适当死区时间 (DT) 的 PWML 和 PWMH 信号。在实际应用中,需由控制器负责 DT 调整。
MPQ1918-AEC1 采用侧面镀锡的 FCQFN -14 (3mmx3mm) 封装。
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