第一种降噪方法是在输出侧（靠近电路板的一端）添加一个卡扣式铁氧体滤波器。图 1 对用与不用卡扣式铁氧体滤波器时的输出线对地阻抗进行了比较。可以看到，添加卡扣式铁氧体滤波器后，对地阻抗明显增大，磁环有效地抑制了高频的谐振峰。

图 2 显示了输出线的传导 EMI测试结果。可见，添加卡扣式铁氧体滤波器可以有效地抑制高频谐振峰值。

第二种降噪方法是改变输出线的长度来调整谐振峰的位置。如图3所示，当线长为1.2m时，3/4λ对应的谐振峰值超过108MHz，避开了FM波段（76MHz至108MHz）。由此可见，改变线长能够降低噪声。我们对2m 和 1.2m 的线长及其传导 EMI 结果进行比较，可以发现后者的谐振峰值出现在 53MHz 左右。

添加屏蔽罩可以消除输出线和测试板之间的近场耦合，从而降低 EMI。屏蔽罩可以由金属制成，需覆盖电路中的dV/dt 节点和 dI/dt 环路，然后将屏蔽罩靠近噪声源接地。

图 4 说明了接地对于电场耦合的效果。当dv/dt节点被屏蔽后，原来直接对参考地对输出线的杂散电容Cswp和CCou变成了其对屏蔽罩的杂散电容Cswp1和CCou1。当屏蔽罩接地的时候，噪声电流直接流回噪声源的地，不会经过LISN，因此也就没有共模噪声了。

如果屏蔽罩不接地，噪声电流仍会流向参考地，但这不会降低 EMI，因为屏蔽罩仍存在来自参考地和输出线的杂散电容。

图 5 说明了接地对于高频磁场耦合的效果。当di/dt 节点被屏蔽后，在理想情况下（屏蔽罩与di/dt环路的耦合非常好，高频时屏蔽罩的阻抗基本为感性），屏蔽罩可以产生一个涡流抵消原来di/dt环路对外界的影响。解耦后，如图17右侧所示，原来磁场耦合产生的感应电压源可以被屏蔽罩抵消。

EMI 测试结果还验证了添加屏蔽对传导噪声的明显改善（参见图 6）。即使输出线为2m，传导噪声也可以满足 CISPR 25 Class 5 的要求，且有6dB 的裕量。

本文主要以D类放大器为例对长线负载进行了分析，但上述方法也适用于其他芯片。例如MPS的高频、恒流、升降压 LED 驱动器MPQ7200，该器件就采用了抖频和对称 VIN设计等多种方法来降低 EMI。

如图 7 所示，当没有输出线时，MPQ7200的传导 EMI 噪声非常低。但添加2m 输出线后，传导 EMI 就在相应位置出现两个谐振峰值。

图 8 显示了添加屏蔽罩对MPQ7200 传导噪声的降低作用。这种效果在高频时尤为明显，充分表明文中介绍的原理和降噪措施对所有变换器拓扑都是通用的。

在本系列文章中，我们在前两篇中对高频共模模型进行了建模，在本文中比较了三种降低 EMI 的方法，并对传导 EMI 的谐振峰值进行了考察。总而言之，通过策略性的电路修改，各种汽车电子应用在长线负载下的过高EMI都可以得到有效控制。

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