EVQ1918-QE-01A
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EVQ1918-QE-01A 是用于演示 MPQ1918-AEC1 功能的评估板。MPQ1918-AEC1 是一款半桥驱动器,可在半桥或同步应用中驱动增强型氮化镓 (GaN) FET 或低栅极阈值电压 N 沟道 MOSFET。
EVQ1918-QE-01A 可配置为降压变换器,由 MPQ1918-AEC1 驱动 GaN FET。它支持开环控制,并可通过调节脉宽调制(PWM)信号的占空比来设置输出电压(VOUT)。
该板只需一个 PWM 信号;由板载电路生成具有适当死区时间 (DT) 的 PWML 和 PWMH 信号。在实际应用中,需由控制器负责 DT 调整。
MPQ1918-AEC1 采用侧面镀锡的 FCQFN -14 (3mmx3mm) 封装。
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评估所用产品
产品特性和优势
- 独立的上管 (HS) 和下管 (LS) TTL 逻辑输入
- HS 浮动偏置电压轨运行电压高达 100VDC
- 独立栅极输出以实现可调导通和关断能力
- 内部自举开关电源电压钳位
- 3.7V 至 5.5V VCC 电压 (VCC) 范围
- 0.27Ω/1.2Ω 下拉/上拉电阻
- 快速传播时间
- 出色的传播延迟匹配(1.5ns典型值)
- 采用侧面镀锡的 FCQFN-14 (3mmx3mm) 封装
- 符合 AEC-Q100 等级1认证
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