EVL5516-R-00A
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采用MPS电感可优化性能
EVL5516-R-00A 是用于演示 MP5516 功能的评估板。MP5516 是一款单片电源管理 IC (PMIC),适用于企业固态硬盘 (SSD) 应用中的电源管理和调节。
MP5516由一个输入限流开关(电熔丝)和一个双向升降压变换器构成。其中电熔丝具有低导通电阻 (RDS(ON))、限流功能和反向电流阻断功能。升降压变换器则用于管理能量的存储与释放。
电熔丝的可配置限流功能可防止启动期间的浪涌电流;反向电流阻断功能则可防止备用能量流向故障输入电压 (VIN) 端口,从而使存储在存储电容中的备用能量在断电期间能够被充分利用。
MP5516的可配置充电电流可控制存储电压 (VSTORAGE) 爬升的速率。其恒定导通时间控制 (COT) 能够最大限度地减少从升压充电模式过渡到降压释放模式期间的电压骤降。
MP5516还提供数字 I2C接口和内部模数转换器 (ADC)。通过 I2C接口可配置输入电流限制并执行电容健康测试。ADC则用于监控输入电压 (VIN)、输入电流 (IIN) 和输入功率 (PIN)。
MP5516 最大限度地减少了所需的现有标准外部元器件,并采用 QFN-25 (4mmx4mm) 封装。
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产品特性和优势
- 输入限流开关(电熔丝):
- 2.65V 至 16V 宽输入电压 (VIN) 范围
- 电熔丝具有 20mΩ 低导通电阻 (RDS(ON)) MOSFET
- 1.2A 至 6A 可配置输入限流
- 3.3V、5V 或 12V 可选过压保护 (OVP)
- 反向电流阻断以防止漏电
- 可调软启动 (SS)
- 可配置启动延迟时间 (tDELAY)
- 36V 充电和备份变换器:
- 高达 36V 的可配置存储电压 (VSTORAGE)
- 60mΩ/37mΩ RDS(ON) 上管MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET)
- 可配置升压电感峰值充电电流
- 升压充电模式和降压释放模式的自动交替
- 降压释放模式下的稳态运行采用恒定导通时间 (COT) 控制,并具有可配置开关频率 (fSW)
- 短路保护(SCP)
- ESR 和存储电容检测
- 系统功能:
- 编程次数多达 1000 次的多次可编程 (MTP) 存储器
- 用于状态监控、参数配置和操作控制的数字 I2C接口
- 启用 (EN) 控制
- 采用紧凑型 QFN-25 (4mmx4mm) 封装
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