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EV18021A-N-00A

100V 高频半桥栅极驱动器评估板

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EV18021A-N-00A是MP18021A的评估板。MP18021A 是一款100V高频半桥N-沟道功率MOSFET驱动器。其上下管驱动通道可独立控制，且匹配延迟小于 5ns。在电源不足的情况下，上下管电源均被欠压锁定，并强制输出低电平。集成自举二极管减少了外部元器件的使用。

该演示板被配置为降压变换器。INH和INL是彼此独立的信号。为简单起见，用户仅需为演示板提供PWM信号，板载电路将生成具有适当死区时间的INH和INL信号。在实际系统中，控制器需要调整死区时间。

评估所用产品

产品特性和优势

驱动N-沟道MOSFET半桥
100V VBST电压范围
集成自举二极管
16ns 的典型延迟
栅极驱动匹配时间小于 5ns
12V VDD 时驱动 1nF 负载需要 12ns 的上升时间和 9ns 的下降时间
TTL兼容输入
静态电流小于 150μA
上下管驱动电压的欠压锁定保护
采用SOIC8E和3mmx3mm QFN8 封装

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EV18021A-N-00A

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